FF600R17ME4B11BOSA1

FF600R17ME4B11BOSA1 Infineon Technologies


71009167754248ds_ff600r17me4_b11_2_2.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1700V 950A 11-Pin AG-ECONOD-5 Tray
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF600R17ME4B11BOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE VCES 1700V 600A, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 48 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FF600R17ME4B11BOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FF600R17ME4B11BOSA1 FF600R17ME4B11BOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FF600R17ME4_B11-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=db3a304333b8a7ca0133c679a07b6151 Description: IGBT MODULE VCES 1700V 600A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 48 nF @ 25 V
товар відсутній