FF600R17ME4PB11BOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesEconoDUAL3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode and PressFIT / NTC / TIM
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF600R17ME4PB11BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE VCES 1200V 600A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 600 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 48 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF600R17ME4PB11BOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FF600R17ME4PB11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
EconoDUAL3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode and PressFIT / NTC / TIM |
товар відсутній |
|
|
|
FF600R17ME4PB11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
EconoDUAL3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode and PressFIT / NTC / TIM |
товар відсутній |
|
 |
FF600R17ME4PB11BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE VCES 1200V 600A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 48 nF @ 25 V |
товар відсутній |