FF650R17IE4BOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 4150W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 4150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 30933.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF650R17IE4BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1700V 4150W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, Part Status: Active, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 4150 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FF650R17IE4BOSA1 за ціною від 44956.01 грн до 44956.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF650R17IE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FF650R17IE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray |
товар відсутній |
|||||
|
|
FF650R17IE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray |
товар відсутній |
|||||
 |
FF650R17IE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150mW Automotive 10-Pin PRIME2-1 Tray |
товар відсутній |