FF650R17IE4DB2BOSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - FF650R17IE4DB2BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 650 A, 2 V, 4.15 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 4
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
Verlustleistung Pd: 4.15
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Zweifach
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 650
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 34111.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF650R17IE4DB2BOSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FF650R17IE4DB2BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 650 A, 2 V, 4.15 kW, 150 °C, Module, IGBT-Technologie: IGBT 4, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2, Verlustleistung Pd: 4.15, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7, Anzahl der Pins: 10, Produktpalette: -, IGBT-Konfiguration: Zweifach, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 650, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції FF650R17IE4DB2BOSA1 за ціною від 36485.73 грн до 36485.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF650R17IE4DB2BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1700V 4150W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 650A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 4150 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FF650R17IE4DB2BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150W 10-Pin PRIME2-1 Tray |
товар відсутній |
|||||
 |
FF650R17IE4DB2BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 930A 4150000mW 10-Pin PRIME2-1 Tray |
товар відсутній |
|||||
| FF650R17IE4DB2BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules PP IHM I |
товар відсутній |