FF6MR12KM1BOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: SIC 2N-CH 1200V 250A AG-62MM
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.81mOhm @ 250A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA
Supplier Device Package: AG-62MM
Part Status: Obsolete
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 28494.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF6MR12KM1BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF6MR12KM1BOSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 250 A, 1.2 kV, 0.00581 ohm, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: CoolSiC C, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00581ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00581ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції FF6MR12KM1BOSA1 за ціною від 36076.24 грн до 38284.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF6MR12KM1BOSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF6MR12KM1BOSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 250 A, 1.2 kV, 0.00581 ohm, Module tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Anzahl der Pins: - Produktpalette: CoolSiC C productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00581ohm Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00581ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF6MR12KM1BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules MEDIUM POWER 62MM |
на замовлення 101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF6MR12KM1BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SIC 2N-CH 1200V 250A AG-62MM Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.81mOhm @ 250A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA Supplier Device Package: AG-62MM Part Status: Obsolete |
товар відсутній |