FF6MR12W2M1B11BOMA1 Infineon Technologies
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 23472.61 грн |
| 5+ | 21781.78 грн |
| 10+ | 20886.64 грн |
| 30+ | 19757.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF6MR12W2M1B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: SIC 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA, Supplier Device Package: AG-EASY2BM-2, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції FF6MR12W2M1B11BOMA1 за ціною від 25564.86 грн до 27568.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FF6MR12W2M1B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 1.2KV 200A 36-Pin Tray |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FF6MR12W2M1B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 200A 36-Pin Tray |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FF6MR12W2M1B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 200A 36-Pin Tray |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FF6MR12W2M1B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 200A Tray |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
 |
FF6MR12W2M1B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SIC 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14700pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.63mOhm @ 200A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 496nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 80mA Supplier Device Package: AG-EASY2BM-2 Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
|||||
 |
FF6MR12W2M1B11BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY |
товар відсутній |