FF800R12KE7EHPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 16922.97 грн |
| 10+ | 15302.73 грн |
| 20+ | 13029.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF800R12KE7EHPSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF800R12KE7EHPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 800 A, 1.75 V, 175 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 800A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Schraubanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FF800R12KE7EHPSA1 за ціною від 21009.3 грн до 24858.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF800R12KE7EHPSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - FF800R12KE7EHPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 800 A, 1.75 V, 175 °C, ModuletariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 800A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| FF800R12KE7EHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 800A 7-Pin Tray |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| FF800R12KE7EHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 800A 7-Pin Tray |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| FF800R12KE7EHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies | SP005568685 |
товар відсутній |
||||||
| FF800R12KE7EHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 800A 7-Pin Tray |
товар відсутній |
||||||
 |
FF800R12KE7EHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MEDIUM POWER 62MM Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 800A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MMHB IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 800 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 122 nF @ 25 V |
товар відсутній |