FGB5N60UNDF ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FGB5N60UNDF - IGBT, 10 A, 1.9 V, 73.5 W, 600 V, TO-263AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73.5
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 43.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGB5N60UNDF ONSEMI
Description: ONSEMI - FGB5N60UNDF - IGBT, 10 A, 1.9 V, 73.5 W, 600 V, TO-263AB, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 73.5, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції FGB5N60UNDF за ціною від 43.63 грн до 43.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FGB5N60UNDF | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGB5N60UNDF - IGBT, 10 A, 1.9 V, 73.5 W, 600 V, TO-263AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 rohsCompliant: YES Verlustleistung: 73.5 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9 usEccn: EAR99 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FGB5N60UNDF | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
IGBT Transistors 600V 5A NPT IGBT |
на замовлення 2106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
 |
FGB5N60UNDF | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
товар відсутній |