Технічний опис FGD2736G3-F085V ON Semiconductor
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 360V; 24.3A; 150W; DPAK; ignition systems, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 360V, Collector current: 24.3A, Power dissipation: 150W, Case: DPAK, Gate-emitter voltage: ±10V, Mounting: SMD, Gate charge: 18nC, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level, Application: ignition systems, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції FGD2736G3-F085V
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FGD2736G3-F085V | Виробник : ONSEMI |
 Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 360V; 24.3A; 150W; DPAK; ignition systems Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 360V Collector current: 24.3A Power dissipation: 150W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±10V Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level Application: ignition systems кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||
 |
FGD2736G3-F085V | Виробник : onsemi | Description: IGBT ECOSPARK1 IGN TO252 |
товар відсутній |
|
 |
FGD2736G3-F085V | Виробник : onsemi |
IGBT Transistors ECOSPARK1 IGN IGBT |
товар відсутній |
|
| FGD2736G3-F085V | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 360V; 24.3A; 150W; DPAK; ignition systems Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 360V Collector current: 24.3A Power dissipation: 150W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±10V Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level Application: ignition systems |
товар відсутній |