Продукція > ONSEMI > FGH4L50T65MQDC50
FGH4L50T65MQDC50

FGH4L50T65MQDC50 onsemi

FGH4L50T65MQDC50-D.PDF Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/181ns
Switching Energy: 240µJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 246 W
на замовлення 4035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+747.55 грн
10+ 650.23 грн
25+ 620.04 грн
100+ 505.23 грн
450+ 439.95 грн
1350+ 383.18 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGH4L50T65MQDC50 onsemi

Description: ONSEMI - FGH4L50T65MQDC50 - IGBT, 100 A, 1.45 V, 246 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 246W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Field Stop IV Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FGH4L50T65MQDC50 за ціною від 394.24 грн до 850.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FGH4L50T65MQDC50 FGH4L50T65MQDC50 Виробник : onsemi FGH4L50T65MQDC50_D-3225044.pdf IGBT Transistors 650V Field stop 4th generation mid speed IGBT with co-pack SiC diode
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+811.66 грн
10+ 685.77 грн
25+ 540.67 грн
100+ 496.94 грн
250+ 467.78 грн
450+ 437.97 грн
900+ 394.24 грн
FGH4L50T65MQDC50 FGH4L50T65MQDC50 Виробник : ONSEMI 3982073.pdf Description: ONSEMI - FGH4L50T65MQDC50 - IGBT, 100 A, 1.45 V, 246 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 246W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Field Stop IV Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+850.31 грн
5+ 712.06 грн
10+ 602.8 грн
50+ 531.44 грн
100+ 453.61 грн
250+ 447.24 грн
FGH4L50T65MQDC50 FGH4L50T65MQDC50 Виробник : ON Semiconductor fgh4l50t65mqdc50-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 246W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH4L50T65MQDC50 FGH4L50T65MQDC50 Виробник : ON Semiconductor fgh4l50t65mqdc50-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 246W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній