Продукція > ONSEMI > FGH4L75T65MQDC50
FGH4L75T65MQDC50

FGH4L75T65MQDC50 onsemi

Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 650V 110A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/187ns
Switching Energy: 720µJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 146 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+754.48 грн
10+ 667.58 грн
30+ 639.9 грн
120+ 529.11 грн
270+ 503.14 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGH4L75T65MQDC50 onsemi

Description: IGBT FIELD STOP 650V 110A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-4L, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 29ns/187ns, Switching Energy: 720µJ (on), 960µJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 146 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 110 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 385 W.

Інші пропозиції FGH4L75T65MQDC50 за ціною від 451.03 грн до 819.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FGH4L75T65MQDC50 FGH4L75T65MQDC50 Виробник : onsemi FGH4L75T65MQDC50_D-3150133.pdf IGBT Transistors 650V Field stop 4th generation mid speed IGBT with co-pack SiC diode
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+819.14 грн
10+ 711.95 грн
25+ 602.48 грн
50+ 569.27 грн
100+ 535.39 грн
250+ 451.03 грн