FGH60T65SQD-F155 onsemi
Виробник: onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20.8ns/102ns
Switching Energy: 227µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 364.3 грн |
| 30+ | 278.16 грн |
| 120+ | 238.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH60T65SQD-F155 onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20.8ns/102ns, Switching Energy: 227µJ (on), 100µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 79 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 333 W.
Інші пропозиції FGH60T65SQD-F155 за ціною від 162.74 грн до 431.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGH60T65SQD-F155 | Виробник : onsemi |
IGBT Transistors 650V 60A FS4 TRENCH |
на замовлення 961 шт: термін постачання 161-170 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FGH60T65SQD-F155 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH60T65SQD-F155 - IGBT, 120 A, 1.6 V, 333 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A |
на замовлення 597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FGH60T65SQD-F155 Код товару: 166613 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
| FGH60T65SQD-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
FGH60T65SQD-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FGH60T65SQD-F155 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |