FGP10N60UNDF ON Semiconductor
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 41.53 грн |
| 100+ | 39.22 грн |
| 500+ | 34.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGP10N60UNDF ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FGP10N60UNDF - IGBT, 139 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 20A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FGP10N60UNDF за ціною від 60.73 грн до 129.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGP10N60UNDF | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGP10N60UNDF - IGBT, 139 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 20A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 42400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FGP10N60UNDF | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: FGP10N60UNDF - IGBT, 600V, 10A, Packaging: Bulk |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FGP10N60UNDF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 139mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FGP10N60UNDF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 139mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FGP10N60UNDF | Виробник : onsemi |
Description: IGBT NPT 600V 20A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37.7 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220-3 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 8ns/52.2ns Switching Energy: 150µJ (on), 50µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 37 nC Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 139 W |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FGP10N60UNDF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 139000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |