FH102A-TR-E onsemi
Виробник: onsemiDescription: FH102A - RF TRANSISTOR, 10V, 70M
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 6-MCP
Part Status: Active
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 944+ | 21.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FH102A-TR-E onsemi
Description: FH102A - RF TRANSISTOR, 10V, 70M, Packaging: Bulk, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 12dB, Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V, Frequency - Transition: 7GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Supplier Device Package: 6-MCP, Part Status: Active.
Інші пропозиції FH102A-TR-E за ціною від 21.94 грн до 21.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FH102A-TR-E | Виробник : ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT PCH+PCH 4V DRIVE SERIES |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
| FH102A-TR-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FH102A-TR-E - FH102A-TR-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
FH102A-TR-E | Виробник : onsemi |
Description: RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ 6MCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12dB Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V Frequency - Transition: 7GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz Supplier Device Package: 6-MCP |
товар відсутній |