Продукція > ONSEMI > FJP13007H2TU
FJP13007H2TU

FJP13007H2TU onsemi

fjp13007-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 26 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.38 грн
50+ 84.95 грн
100+ 69.9 грн
500+ 55.51 грн
1000+ 47.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FJP13007H2TU onsemi

Description: ONSEMI - FJP13007H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 26hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FJP13007, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FJP13007H2TU за ціною від 47.84 грн до 144.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FJP13007H2TU FJP13007H2TU Виробник : ONSEMI FJP13007H2TU.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 5...60
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+117.44 грн
5+ 82.82 грн
10+ 72.47 грн
12+ 66.95 грн
33+ 63.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
FJP13007H2TU FJP13007H2TU Виробник : onsemi / Fairchild FJP13007_D-2313373.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.27 грн
10+ 93.72 грн
100+ 66.92 грн
500+ 56.45 грн
1000+ 47.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
FJP13007H2TU FJP13007H2TU Виробник : ONSEMI FJP13007H2TU.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Current gain: 5...60
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+140.93 грн
3+ 103.21 грн
10+ 86.96 грн
12+ 80.34 грн
33+ 76.2 грн
250+ 73.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
FJP13007H2TU FJP13007H2TU Виробник : ONSEMI fjp13007-d.pdf Description: ONSEMI - FJP13007H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 26hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FJP13007
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+144.94 грн
10+ 116.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
FJP13007H2TU FJP13007H2TU Виробник : ON Semiconductor fjp13007-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FJP13007H2TU FJP13007H2TU Виробник : ON Semiconductor fjp13007-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній