Продукція > ONSEMI > FQB19N20LTM
FQB19N20LTM

FQB19N20LTM ONSEMI

FQB19N20L.pdf Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+101.6 грн
5+ 85.32 грн
13+ 65.21 грн
35+ 61.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQB19N20LTM ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQB19N20LTM за ціною від 48.21 грн до 121.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQB19N20LTM FQB19N20LTM Виробник : onsemi / Fairchild FQB19N20L_D-2313612.pdf MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 31908 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.32 грн
10+ 96.49 грн
100+ 66.59 грн
500+ 66.26 грн
800+ 48.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB19N20LTM FQB19N20LTM Виробник : ONSEMI FQB19N20L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 13.3A; Idm: 84A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 13.3A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 106 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.92 грн
5+ 106.33 грн
13+ 78.25 грн
35+ 73.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB19N20LTM FQB19N20LTM Виробник : ON Semiconductor 3674205007470136fqb19n20l.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB19N20LTM FQB19N20LTM Виробник : ON Semiconductor 3674205007470136fqb19n20l.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB19N20LTM FQB19N20LTM Виробник : ON Semiconductor 3674205007470136fqb19n20l.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB19N20LTM FQB19N20LTM Виробник : onsemi fqb19n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB19N20LTM FQB19N20LTM Виробник : onsemi fqb19n20l-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товар відсутній