Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FQB25N33TM
FQB25N33TM

FQB25N33TM Fairchild Semiconductor

FAIRS25386-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
на замовлення 19100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
201+99.78 грн
Мінімальне замовлення: 201
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQB25N33TM Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQB25N33TM за ціною від 56.33 грн до 100.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQB25N33TM Виробник : ONSEMI FAIRS25386-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FQB25N33.pdf Description: ONSEMI - FQB25N33TM - MOSFET, N, SMD, TO-263
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: Unknown
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: Unknown
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+100.85 грн
25+ 85.16 грн
100+ 70.67 грн
1000+ 56.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
FQB25N33TM FQB25N33TM Виробник : ON Semiconductor fqb25n33.pdf Trans MOSFET N-CH 330V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FQB25N33TM FQB25N33TM Виробник : onsemi FQB25N33.pdf Description: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 330 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
товар відсутній
FQB25N33TM FQB25N33TM Виробник : onsemi / Fairchild FairchildSemiconductor_16142339245967-1191995.pdf MOSFET 330V N-Channel MOSFET
товар відсутній