FQB33N10TM ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FQB33N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 127
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 119.53 грн |
| 10+ | 118.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQB33N10TM ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB33N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 127, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 127, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції FQB33N10TM за ціною від 48.74 грн до 48.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQB33N10TM | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 100V N-Channel QFET |
на замовлення 325 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
| FQB33N10TM | Виробник : Fairchild |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 25V; 52mOhm; 33A; 127W; -55°C ~ 175°C; FQB33N10TM TFQB33n10tm кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
FQB33N10TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||
| FQB33N10TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||
| FQB33N10TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||
|
|
FQB33N10TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||
 |
FQB33N10TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; 127W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 23A Power dissipation: 127W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||
 |
FQB33N10TM | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 127W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (TO-263) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||
|
|
FQB33N10TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; 127W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 23A Power dissipation: 127W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |