FQB34N20LTM Fairchild
Виробник: FairchildTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 80mOhm; 31A; 180W; -55°C ~ 150°C; FQB34N20LTM TFQB34n20ltm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 70.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQB34N20LTM Fairchild
Description: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQB34N20LTM
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FQB34N20LTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|
| FQB34N20LTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||
 |
FQB34N20LTM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; 180W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 20A Power dissipation: 180W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
|
 |
FQB34N20LTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|
 |
FQB34N20LTM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
FQB34N20LTM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
FQB34N20LTM | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 200V Single |
товар відсутній |
|
|
|
FQB34N20LTM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 20A; 180W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 20A Power dissipation: 180W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |