FQB55N10TM ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.9A
Power dissipation: 155W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 139.7 грн |
5+ | 117.93 грн |
9+ | 89.49 грн |
25+ | 84.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQB55N10TM ONSEMI
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: QFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 38.9A, Power dissipation: 155W, Case: D2PAK, Gate-source voltage: ±25V, On-state resistance: 26mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 98nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FQB55N10TM за ціною від 69.26 грн до 191.62 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQB55N10TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 38.9A Power dissipation: 155W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 98nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 800 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
FQB55N10TM | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 100V N-Channel QFET |
на замовлення 318 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
FQB55N10TM | Виробник : onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
FQB55N10TM | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||
FQB55N10TM | Виробник : onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK |
товар відсутній |