Продукція > ONSEMI > FQB5N60CTM-WS
FQB5N60CTM-WS

FQB5N60CTM-WS onsemi

FQB5N60CTM_WS.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+100.13 грн
10+ 80.12 грн
100+ 63.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQB5N60CTM-WS onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQB5N60CTM-WS за ціною від 75.25 грн до 121.2 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQB5N60CTM-WS FQB5N60CTM-WS Виробник : onsemi / Fairchild fairchild_FQB5N60CTM_WS-1191786.pdf MOSFET 600V,4.5A NCH MOSFET
на замовлення 2057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.2 грн
10+ 107.98 грн
25+ 87.9 грн
100+ 75.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQB5N60CTM-WS FQB5N60CTM-WS Виробник : ON Semiconductor 154fqi5n60c.pdf MOSFET N-CH 600V 4.5A
товар відсутній
FQB5N60CTM-WS FQB5N60CTM-WS Виробник : onsemi FQB5N60CTM_WS.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товар відсутній