FQH18N50V2

FQH18N50V2 Fairchild Semiconductor


FAIRS43003-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
на замовлення 4508 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+199.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQH18N50V2 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 277W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQH18N50V2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQH18N50V2 FAIRS43003-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQH18N50V2 FQH18N50V2 Виробник : onsemi / Fairchild FAIRS43003-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET 500V N-Channel Adv Q-FET V2 Ser
товар відсутній