FQP19N20C ON Semiconductor
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 94.26 грн |
| 10+ | 86.42 грн |
| 100+ | 70.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP19N20C ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 139W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQP19N20C за ціною від 42.18 грн до 139.3 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQP19N20C | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FQP19N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.14 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 19 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 139 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 8776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQP19N20C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
FQP19N20C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FQP19N20C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FQP19N20C | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET |
товар відсутній |