Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FQP5N60C
FQP5N60C

FQP5N60C Fairchild Semiconductor

FAIRS46444-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 75282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
417+47.5 грн
Мінімальне замовлення: 417
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP5N60C Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQP5N60C за ціною від 48.99 грн до 58.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQP5N60C FQP5N60C Виробник : ON Semiconductor fqpf5n60ccn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+49.49 грн
3000+ 48.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000
FQP5N60C Виробник : Fairchild fqpf5n60c-d.pdf FAIRS46444-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 600V 4.5A 2.5Ω 100W FQP5N60C FAI TFQP5n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+58.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
FQP5N60C FQP5N60C Виробник : ON Semiconductor fqpf5n60ccn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FQP5N60C FQP5N60C Виробник : onsemi fqpf5n60c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товар відсутній
FQP5N60C FQP5N60C Виробник : onsemi / Fairchild FQPF5N60C_D-2313715.pdf MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
товар відсутній