Продукція > ONSEMI > FQP9N30
FQP9N30

FQP9N30 onsemi

fqp9n30-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 300V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.75 грн
10+ 112.97 грн
100+ 90.79 грн
500+ 70 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP9N30 onsemi

Description: MOSFET N-CH 300V 9A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 98W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQP9N30

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQP9N30 Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FQP9N30-1300928.pdf MOSFET 300V N-Channel QFET
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQP9N30 FQP9N30 Виробник : ON Semiconductor fqp9n30jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FQP9N30 Виробник : ON Semiconductor fqp9n30jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FQP9N30 Виробник : ON Semiconductor fqp9n30jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FQP9N30 Виробник : ONSEMI fqp9n30-d.pdf FQP9N30 THT N channel transistors
товар відсутній
FQP9N30 FQP9N30 Виробник : Fairchild Semiconductor fqp9n30-d.pdf Description: Power Field-Effect Transistor, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
товар відсутній