FR207GB-G Comchip Technology
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 23.85 грн |
19+ | 16.31 грн |
100+ | 7.19 грн |
1000+ | 4.26 грн |
2500+ | 3.6 грн |
10000+ | 3 грн |
25000+ | 2.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FR207GB-G Comchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO15, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 500 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-15, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції FR207GB-G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
FR207GB-G | Виробник : Comchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO15 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-15 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товар відсутній |