Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FS100R07N2E4B11BOSA1
FS100R07N2E4B11BOSA1

FS100R07N2E4B11BOSA1 Infineon Technologies


992infineon-fs100r07n2e4_b11-ds-v02_00-en_cn.pdffileiddb3a30433de4e6.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 650V 125A 335000mW 25-Pin ECONO2-6 Tray
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FS100R07N2E4B11BOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 650V 125A 20MW, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 125 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FS100R07N2E4B11BOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FS100R07N2E4B11BOSA1 FS100R07N2E4B11BOSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FS100R07N2E4_B11-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=db3a30433004641301304036f2a4573e Description: IGBT MOD 650V 125A 20MW
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 125 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V
товар відсутній