FS100R07N2E4BOSA1

FS100R07N2E4BOSA1 Infineon Technologies


Infineon-FS100R07N2E4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432f5008fe012f52f5fa2e396f Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 100A 335W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 335 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+8524.58 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FS100R07N2E4BOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 650V 100A 335W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 335 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FS100R07N2E4BOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FS100R07N2E4BOSA1 FS100R07N2E4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 3725ds_fs100r07n2e4_2_0_ja-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0fd1e3.pdf Trans IGBT Module N-CH 650V 100A 335000mW 28-Pin ECONO2-6 Tray
товар відсутній
FS100R07N2E4BOSA1 FS100R07N2E4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 3725ds_fs100r07n2e4_2_0_ja-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0fd1e3.pdf Trans IGBT Module N-CH 650V 100A 335W 28-Pin ECONO2-6 Tray
товар відсутній