FS100R12PT4

FS100R12PT4 Infineon Technologies


Infineon_FS100R12PT4_DS_v02_02_en_de-3360187.pdf Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules 3 PHASE POWER BRIDGE
на замовлення 6 шт:

термін постачання 161-170 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+15299.57 грн
12+ 14350.87 грн
30+ 12211.98 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FS100R12PT4 Infineon Technologies

Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: AG-ECONO4-1-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 135 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 500 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FS100R12PT4 за ціною від 8467.77 грн до 8467.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FS100R12PT4 Виробник : Infineon Technologies INFNS28515-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO4-1-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 135 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+8467.77 грн
Мінімальне замовлення: 3