FS100R17N3E4BOSA1

FS100R17N3E4BOSA1 Infineon Technologies


Infineon-FS100R17N3E4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043397219b60139768e85c55284 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 100A 600W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9 nF @ 25 V
на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+14229.78 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FS100R17N3E4BOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FS100R17N3E4BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.95 V, 600 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85415000, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V, Dauer-Kollektorstrom: 100A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V, Verlustleistung Pd: 600W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Produktpalette: EconoPACK 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 100A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FS100R17N3E4BOSA1 за ціною від 13471.66 грн до 14860.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FS100R17N3E4BOSA1 FS100R17N3E4BOSA1 Виробник : INFINEON Infineon-FS100R17N3E4-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043397219b60139768e85c55284 Description: INFINEON - FS100R17N3E4BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.95 V, 600 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 600W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: EconoPACK 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+14860.91 грн
5+ 13471.66 грн
FS100R17N3E4BOSA1 FS100R17N3E4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 4146ds_fs100r17n3e4_2_0_ja-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0fd1e3.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V 100A 600W 35-Pin ECONO3-4 Tray
товар відсутній
FS100R17N3E4BOSA1 FS100R17N3E4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 4146ds_fs100r17n3e4_2_0_ja-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0fd1e3.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V 100A 600000mW 35-Pin ECONO3-4 Tray
товар відсутній
FS100R17N3E4BOSA1 FS100R17N3E4BOSA1 Виробник : Infineon Technologies 4146ds_fs100r17n3e4_2_0_ja-en.pdffolderiddb3a30433db6f09f013dca0fd1e3.pdf Trans IGBT Module N-CH 1700V 100A 600W 35-Pin ECONO3-4 Tray
товар відсутній