FS13MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 22462.17 грн |
| 10+ | 20752.41 грн |
| 30+ | 17353.93 грн |
| 60+ | 17084.88 грн |
| 105+ | 16952.03 грн |
| 255+ | 16949.36 грн |
| 510+ | 16948.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS13MR12W2M1HB70BPSA1 Infineon Technologies
Description: SIC 6N-CH 1200V 62.5A, Packaging: Tray, Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.5A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6050pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 62.5A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 28mA, Part Status: Active.
Інші пропозиції FS13MR12W2M1HB70BPSA1 за ціною від 20470.12 грн до 20470.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FS13MR12W2M1HB70BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: SIC 6N-CH 1200V 62.5APackaging: Tray Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6050pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 62.5A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 28mA Part Status: Active |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| FS13MR12W2M1HB70BPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
LOW POWER EASY |
товар відсутній |