FS150R12KE3BOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 10477.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS150R12KE3BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS150R12KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 200 A, 1.7 V, 700 W, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 200A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 700W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: Econo 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 200A, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Інші пропозиції FS150R12KE3BOSA1 за ціною від 10821.96 грн до 31230.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FS150R12KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IGBT MOD 1200V 200A 700WPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 700 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10.5 nF @ 25 V |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FS150R12KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 700W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FS150R12KE3BOSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FS150R12KE3BOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 200 A, 1.7 V, 700 W, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 200A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 700W euEccn: NLR Verlustleistung: 700W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: Econo 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 200A Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FS150R12KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 700W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FS150R12KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 700W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FS150R12KE3BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 700W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
товар відсутній |