FZ2000R33HE4BOSA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FZ2000R33HE4BOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 2 kA, 2.2 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Dauer-Kollektorstrom: 2
usEccn: 3A228.c
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2
Verlustleistung Pd: -
euEccn: 3A228.c
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 3.3
Produktpalette: IHM-B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.3
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - FZ2000R33HE4BOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 2 kA, 2.2 V, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Dauer-Kollektorstrom: 2
usEccn: 3A228.c
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2
Verlustleistung Pd: -
euEccn: 3A228.c
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 3.3
Produktpalette: IHM-B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.3
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 129114.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FZ2000R33HE4BOSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FZ2000R33HE4BOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 2 kA, 2.2 V, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2, Dauer-Kollektorstrom: 2, usEccn: 3A228.c, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2, Verlustleistung Pd: -, euEccn: 3A228.c, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 3.3, Produktpalette: IHM-B, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.3, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 2, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції FZ2000R33HE4BOSA1 за ціною від 175744.53 грн до 179258.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FZ2000R33HE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD IHV IHM T XHP 3 3-6 5K Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Switch Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 2kA (Typ) NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-IHVB190-3 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2000 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V Power - Max: 4.2 mW Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 280 nF @ 25 V |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FZ2000R33HE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | IGBT Modules IHV IHM T XHP 3 3-6 5K |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||
FZ2000R33HE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | SP003062218 |
товар відсутній |
||||||
FZ2000R33HE4BOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x3 Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 2kA Pulsed collector current: 4kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Topology: IGBT x3 Case: AG-IHVB190-3 Max. off-state voltage: 3.3kV кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||
FZ2000R33HE4BOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x3 Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 2kA Pulsed collector current: 4kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Topology: IGBT x3 Case: AG-IHVB190-3 Max. off-state voltage: 3.3kV |
товар відсутній |