FZ600R12KE4HOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 600A 3000W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 3000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.7 nF @ 25 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 9018.94 грн |
| 10+ | 8039.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FZ600R12KE4HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FZ600R12KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 600 A, 1.75 V, 3 kW, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 600A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 3kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 600A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FZ600R12KE4HOSA1 за ціною від 10173.98 грн до 11225.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FZ600R12KE4HOSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FZ600R12KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 600 A, 1.75 V, 3 kW, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 600A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 3kW euEccn: NLR Verlustleistung: 3kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 600A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FZ600R12KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 3000000mW 4-Pin AG-62MM-2 Tray |
товар відсутній |
|||||||||
 |
FZ600R12KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 3000mW 4-Pin AG-62MM-2 Tray |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
FZ600R12KE4HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 3000mW 4-Pin AG-62MM-2 Tray |
товар відсутній |