G050P03S Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-30V,-25A,RD(MAX)<5.5M@-10V,VTH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7221 pF @ 15 V

на замовлення 4000 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4000+	26.88 грн

Мінімальне замовлення: 4000

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис G050P03S Goford Semiconductor

Інші пропозиції G050P03S за ціною від 24.29 грн до 65 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	G050P03S	Виробник : Goford Semiconductor	Description: P-30V,-25A,RD(MAX)<5.5M@-10V,VTH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7221 pF @ 15 V	на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 5+ 65 грн 10+  51.18 грн 100+  39.83 грн 500+  31.68 грн 1000+  25.81 грн 2000+  24.29 грн Мінімальне замовлення: 5 купити