Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G080P06T

G080P06T GOFORD Semiconductor

GOFORD-G080P06T.pdf Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-195A,RD(max) Less Than 7.5mOhm at -10V,VTH -2V to -4V ,TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
195+60.22 грн
Мінімальне замовлення: 195
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G080P06T GOFORD Semiconductor

P-CH,-60V,-195A,RD(max) Less Than 7.5mOhm at -10V,VTH -2V to -4V ,TO-220.

Інші пропозиції G080P06T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G080P06T G080P06T Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G080P06T.pdf Description: P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15195 pF @ 30 V
товар відсутній