Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G08P06D3
G08P06D3

G08P06D3 Goford Semiconductor

GOFORD-G08P06D3.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2972 pF @ 30 V
на замовлення 5529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+41.89 грн
10+ 35.47 грн
100+ 24.56 грн
500+ 19.26 грн
1000+ 16.39 грн
2000+ 14.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G08P06D3 Goford Semiconductor

Description: P60V,RD(MAX).

Інші пропозиції G08P06D3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G08P06D3 G08P06D3 Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G08P06D3.pdf Description: P60V,RD(MAX)<52M@-10V,VTH-2V~-3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2972 pF @ 30 V
товар відсутній