G16N03S Goford Semiconductor
Виробник: Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 16A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 8.16 грн |
| 16000+ | 7.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G16N03S Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 16A SOP-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V, FET Feature: Standard, Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V.
Інші пропозиції G16N03S за ціною від 8.87 грн до 9.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G16N03S | Виробник : GOFORD Semiconductor |
N-CH,30V,16A,RD(max) Less Than 10mOhm at 10V,RD(max) Less Than 15mOhm at 5V,VTH 1.0V to 2.5V, SOP-8 |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|