Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G180C06Y
G180C06Y

G180C06Y Goford Semiconductor

GOFORD-G180C06Y.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N+P-CH 60V 50A/-60A TO-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ -30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ -10A, -10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ -4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G180C06Y Goford Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 69W (Tc), 115W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), 60A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-4.

Інші пропозиції G180C06Y за ціною від 14.39 грн до 42.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G180C06Y G180C06Y Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G180C06Y.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 69W (Tc), 115W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.39 грн
10+ 34.74 грн
100+ 24.16 грн
500+ 17.7 грн
1000+ 14.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
G180C06Y G180C06Y Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G180C06Y.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 69W (Tc), 115W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
товар відсутній