G2K2P10S2E Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-100V,ESD,-3.5A,RD(MAX)<200M@-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1623pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 4000 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4000+	21.94 грн

Мінімальне замовлення: 4000

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис G2K2P10S2E Goford Semiconductor

Інші пропозиції G2K2P10S2E за ціною від 19.82 грн до 56.91 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	G2K2P10S2E	Виробник : Goford Semiconductor	Description: P-100V,ESD,-3.5A,RD(MAX)<200M@-1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1623pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active	на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 6+ 56.91 грн 10+  48.07 грн 100+  36.86 грн 500+  27.34 грн 1000+  21.87 грн 2000+  19.82 грн Мінімальне замовлення: 6 купити