G2SB60-E3/51 Vishay General Semiconductor
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 73.21 грн |
10+ | 62.82 грн |
100+ | 39.63 грн |
400+ | 33.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G2SB60-E3/51 Vishay General Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, GBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBL, Part Status: Obsolete, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 1.5 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
Інші пропозиції G2SB60-E3/51
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
G2SB60-E3/51 | Виробник : Vishay | Rectifier Bridge Diode Single 600V 1.5A 4-Pin Case GBL Bulk |
товар відсутній |
||
G2SB60-E3/51 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A GBL Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBL Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 1.5 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 750 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
товар відсутній |