Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G350N06D32
G350N06D32

G350N06D32 Goford Semiconductor

GOFORD-G350N06D32.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N+N-CH 60V10A 20W DFN3*3-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G350N06D32 Goford Semiconductor

Description: MOSFET N+N-CH 60V10A 20W DFN3*3-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 20W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05).

Інші пропозиції G350N06D32

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G350N06D32 G350N06D32 Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G350N06D32.pdf Description: MOSFET N+N-CH 60V10A 20W DFN3*3-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
товар відсутній