G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC SemiconductorDescription: SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 477.34 грн |
| 10+ | 413.01 грн |
| 25+ | 395.78 грн |
| 100+ | 348.69 грн |
| 250+ | 334.34 грн |
| 500+ | 323.58 грн |
| 1000+ | 308.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V, Power Dissipation (Max): 88W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції G3R450MT17D за ціною від 313.4 грн до 518.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
G3R450MT17D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
G3R450MT17D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
G3R450MT17D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 3196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
G3R450MT17D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| G3R450MT17D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
G3R450MT17D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
G3R450MT17D | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 88W Type of transistor: N-MOSFET Technology: G3R™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 88W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
G3R450MT17D | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 88W Type of transistor: N-MOSFET Technology: G3R™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 88W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |