G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 768.37 грн |
| 10+ | 688.82 грн |
| 25+ | 576.45 грн |
| 100+ | 543.98 грн |
| 250+ | 524.1 грн |
| 500+ | 508.86 грн |
| 1000+ | 494.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R60MT07J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 44 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 182W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: G3R Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції G3R60MT07J за ціною від 525.6 грн до 785.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
G3R60MT07J | Виробник : GENESIC SEMICONDUCTOR |
 Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R60MT07J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 44 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 182W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: G3R Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| G3R60MT07J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: 750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V |
на замовлення 1348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
G3R60MT07J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
G3R60MT07J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| G3R60MT07J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
750V 60m TO-263-7 G3R SiC MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| G3R60MT07J | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |