G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC SemiconductorDescription: 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 679.46 грн |
| 10+ | 594.25 грн |
| 25+ | 571.95 грн |
| 100+ | 506.43 грн |
| 250+ | 487.36 грн |
| 500+ | 473.42 грн |
| 1000+ | 452.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Vgs (Max): +20V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V.
Інші пропозиції G3R60MT07K за ціною від 479.71 грн до 747.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
G3R60MT07K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 650V 60mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 3429 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
G3R60MT07K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| G3R60MT07K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
G3R60MT07K | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |