G60KN30I Goford Semiconductor
Виробник: Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 0.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 150 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G60KN30I Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 300V 0.3A SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4Ohm @ 300mA, 10V, Power Dissipation (Max): 710mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 150 V.
Інші пропозиції G60KN30I за ціною від 4.33 грн до 22.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G60KN30I | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 300V 0.3A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 710mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 68 pF @ 150 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|