Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G60N04D52
G60N04D52

G60N04D52 Goford Semiconductor

GOFORD-G60N04D52.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 40V 35A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1998pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+19.27 грн
15000+ 17.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G60N04D52 Goford Semiconductor

Description: MOSFET 40V 35A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 20W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1998pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75), Part Status: Active, Technology: MOSFET (Metal Oxide).

Інші пропозиції G60N04D52 за ціною від 22.54 грн до 22.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G60N04D52 G60N04D52 Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G60N04D52.pdf Description: MOSFET 40V 35A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1998pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
G60N04D52 Виробник : GOFORD Semiconductor GOFORD-G60N04D52.pdf Dual N-CH,40V,35A,RD(max) Less Than 9mOhm at 10V,RD(max) Less Than 12mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V,DFN5X6-8L
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000
G60N04D52 G60N04D52 Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G60N04D52.pdf Description: MOSFET 40V 35A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1998pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
товар відсутній