GC2X50MPS06-227 GeneSiC Semiconductor


gc2x50mps06-227.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GC2X50MPS06-227 GeneSiC Semiconductor

Description: DIODE MOD SCHOT 650V 104A SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 104A (DC), Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V.

Інші пропозиції GC2X50MPS06-227

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
GC2X50MPS06-227 GC2X50MPS06-227 Виробник : GeneSiC Semiconductor gc2x50mps06-227.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товар відсутній
GC2X50MPS06-227 Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X50MPS06-227.pdf GC2X50MPS06-227 Diode modules
товар відсутній
GC2X50MPS06-227 GC2X50MPS06-227 Виробник : GeneSiC Semiconductor GC2X50MPS06-227.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 650V 104A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 104A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
товар відсутній
GC2X50MPS06-227 GC2X50MPS06-227 Виробник : GeneSiC Semiconductor GC2X50MPS06-227-1856236.pdf Discrete Semiconductor Modules 650V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
товар відсутній