GD200HFX65C1S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD200HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 250 A, 1.45 V, 612 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 250A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 612W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 612W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 250A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3248.9 грн |
| 5+ | 3019.39 грн |
| 10+ | 2786.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD200HFX65C1S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD200HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 250 A, 1.45 V, 612 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, Dauer-Kollektorstrom: 250A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V, Verlustleistung Pd: 612W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 612W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 250A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції GD200HFX65C1S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD200HFX65C1S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Mechanical mounting: screw Electrical mounting: FASTON connectors; screw Case: C1 34mm Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Type of module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge кількість в упаковці: 24 шт |
товар відсутній |
||
| GD200HFX65C1S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Mechanical mounting: screw Electrical mounting: FASTON connectors; screw Case: C1 34mm Max. off-state voltage: 650V Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Type of module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge |
товар відсутній |