GD200HFY120C8S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD200HFY120C8S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 309 A, 1.7 V, 1.006 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 309
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 1.006
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.006
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 309
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4780.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD200HFY120C8S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD200HFY120C8S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 309 A, 1.7 V, 1.006 kW, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, hazardous: false, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7, Dauer-Kollektorstrom: 309, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7, Verlustleistung Pd: 1.006, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.006, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 309, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).
Інші пропозиції GD200HFY120C8S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD200HFY120C8S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Pulsed collector current: 400A Collector current: 200A Gate-emitter voltage: ±20V Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Type of module: IGBT Case: C8 48mm Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge кількість в упаковці: 16 шт |
товар відсутній |
||
| GD200HFY120C8S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Pulsed collector current: 400A Collector current: 200A Gate-emitter voltage: ±20V Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Type of module: IGBT Case: C8 48mm Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge |
товар відсутній |